Зміст
Компанія Samsung почала масове виробництво одно терабайтного сховища eUFS 2.1, повідомила компанія сьогодні. Повідомлення приходить після чуток, що компанія представить варіант Galaxy S10 з терабайтним накопичувачем. Зберігання флеш-пам’яті високої ємності використовує той самий фізичний простір, що і раніше оголошений спалах 512 Гб, знайдений у найвищій версії Galaxy Note 9.
Зберігання базується на вдосконаленій технології флеш-пам’яті V-NAND від Samsung, яка має підвищену щільність, менші потреби в енергії та загалом більш високі швидкості. Він використовує вертикальне укладання одиночних комірок NAND, що порівняно з горизонтальним шаруватим розташуванням звичайного NAND є набагато ефективнішим.
Що можуть очікувати користувачі?
Хоча Samsung стверджує, що накопичувач на базі eUFS 2.1 може досягти швидкості послідовного зчитування до 1000 мегабайт в секунду, ви навряд чи вдасте до цього числа в реальному використанні. Що важливіше випадкові швидкості, а попередні дані, оприлюднені Samsung, показують, що вони теж значно покращилися.
Випадкові швидкості запису, зокрема, повинні сприяти включенню додатків, таких як безперервна зйомка у високому кадрі. Поки більшість телефонів обмежено лише кількома секундами зйомки відео з високою швидкістю кадрів. Samsung каже, що більш висока швидкість читання та запису у новому рішенні для зберігання даних на базі V-NAND на 1 терабайт буде достатньою для забезпечення безперервної тривалої запису відео з частотою 960 кадрів в секунду.
Виробництво флеш-накопичувача розпочалося на заводі Samsung в Пхьонгтаку, Корея, і ми очікуємо, що ми почнемо слухати про те, як запустити телефони з накопичувачем великої потужності на MWC. Зважаючи на попередні міркування та підтверджений запуск Galaxy S10 20 лютого, є хороший шанс, що ми побачимо сховище, включене у версію цього апарату.
Що ви думаєте про терабайт сховища на телефоні? Чи носите з собою достатньо засобів масової інформації, щоб виправдати високу потужність, або ви прийняли майбутнє, що спочатку хмара?
